onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SC-81
- RS Best.-Nr.:
- 800-9383
- Herst. Teile-Nr.:
- 5LN01SS-TL-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 800-9383
- Herst. Teile-Nr.:
- 5LN01SS-TL-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V | |
| Gehäusegröße | SC-81 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 150 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,57 nC @ 10 V | |
| Länge | 1.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 0.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 50 V | ||
Gehäusegröße SC-81 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 150 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,57 nC @ 10 V | ||
Länge 1.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 0.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.6mm | ||