IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 100 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264
- RS Best.-Nr.:
- 801-1364
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFB100N50Q3
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 801-1364
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFB100N50Q3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 49 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,56 kW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 255 nC @ 10 V | |
| Länge | 20.29mm | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 26.59mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße PLUS264 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 49 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 6.5V | ||
Verlustleistung max. 1,56 kW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 255 nC @ 10 V | ||
Länge 20.29mm | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 26.59mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||