IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB44N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 44 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
801-1373
Herst. Teile-Nr.:
IXFB44N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

44 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

PLUS264

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

220 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

6.5V

Verlustleistung max.

1,56 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

264 nC @ 10 V

Breite

5.31mm

Länge

20.29mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

26.59mm

Serie

HiperFET, Q3-Class

Betriebstemperatur min.

-55 °C