IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264

RS Best.-Nr.:: 801-1415P
Herst. Teile-Nr.:: IXFK48N60Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264

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Herst. Teile-Nr.:: IXFK48N60Q3
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IXFK48N60Q3, IXFX48N60Q3, HiperFET, Power MOSFETs, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	48 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-264
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	140 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	1 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	19.96mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	140 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	26.16mm

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A 1 kW, 3-Pin TO-264

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3