IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, SMD MOSFET 300 V / 50 A 690 W, 3-Pin TO-268
- RS Best.-Nr.:
- 801-1477
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFT50N30Q3
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 801-1477
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFT50N30Q3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 300 V | |
| Gehäusegröße | TO-268 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V | |
| Verlustleistung max. | 690 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 16.05mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 14mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 300 V | ||
Gehäusegröße TO-268 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 6.5V | ||
Verlustleistung max. 690 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 16.05mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 65 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 14mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||