IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 801-1503P
Herst. Teile-Nr.:: IXFX64N50Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

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RS Best.-Nr.:: 801-1503P
Herst. Teile-Nr.:: IXFX64N50Q3
Marke:: IXYS

IXFK64N50Q3, IXFX64N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	64 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	PLUS247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	85 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	1 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	16.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	145 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.21mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	21.34mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3