onsemi NDFP03N150CG N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 5 A 32 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 801-6785
- Herst. Teile-Nr.:
- NDFP03N150CG
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,175 € | 6,35 € |
| 10 - 98 | 2,765 € | 5,53 € |
| 100 - 248 | 2,32 € | 4,64 € |
| 250 - 498 | 2,17 € | 4,34 € |
| 500 + | 2,08 € | 4,16 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 801-6785
- Herst. Teile-Nr.:
- NDFP03N150CG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1500 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 32 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 10.16mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 28.85mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1500 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 32 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 10.16mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 28.85mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 4.7mm | ||