onsemi ATP212-TL-H N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 40 W, 3-Pin ATPAK
- RS Best.-Nr.:
- 802-0762
- Herst. Teile-Nr.:
- ATP212-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 802-0762
- Herst. Teile-Nr.:
- ATP212-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 35 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | ATPAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 37 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V | |
| Verlustleistung max. | 40 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34,5 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 7.3mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 35 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße ATPAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 37 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.6V | ||
Verlustleistung max. 40 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34,5 nC @ 10 V | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 7.3mm | ||
Höhe 1.5mm | ||