onsemi ECH8420-TL-H N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14 A 1,6 W, 8-Pin ECH
- RS Best.-Nr.:
- 802-0822
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8420-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,408 € | 6,12 € |
| 75 - 285 | 0,347 € | 5,21 € |
| 300 - 735 | 0,305 € | 4,58 € |
| 750 + | 0,284 € | 4,26 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 802-0822
- Herst. Teile-Nr.:
- ECH8420-TL-H
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 14 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | ECH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 22,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 1,6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 29 nC bei 4,5 V | |
| Länge | 2.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 14 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße ECH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 22,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 1,6 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 29 nC bei 4,5 V | ||
Länge 2.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.9mm | ||
