onsemi EFC4615R-TR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 24 V / 6 A 1,6 W, 4-Pin EFCP
- RS Best.-Nr.:
- 802-0875
- Herst. Teile-Nr.:
- EFC4615R-TR
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 802-0875
- Herst. Teile-Nr.:
- EFC4615R-TR
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 24 V | |
| Gehäusegröße | EFCP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 31 mΩ | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,8 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Länge | 1.46mm | |
| Breite | 1.46mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.22mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 24 V | ||
Gehäusegröße EFCP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 31 mΩ | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 1,6 W | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,8 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Länge 1.46mm | ||
Breite 1.46mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.22mm | ||