onsemi NTD20N06T4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 802-1008
Herst. Teile-Nr.:: NTD20N06T4G
Marke:: onsemi

onsemi NTD20N06T4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 802-1008
Herst. Teile-Nr.:: NTD20N06T4G
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	46 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	60 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	21,2 nC @ 10 V
Breite	9.65mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.29mm
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

onsemi NTD20N06T4G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor

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