Teile-Nr.

onsemi NTGS3130NG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,6 A 1,1 W, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 802-1049
Herst. Teile-Nr.:: NTGS3130NT1G
Marke:: ON Semiconductor

onsemi NTGS3130NG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,6 A 1,1 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:: 802-1049
Herst. Teile-Nr.:: NTGS3130NT1G
Marke:: ON Semiconductor

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ON Semiconductor
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	5,6 A
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	TSOP
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1.4V
	Verlustleistung max.	1,1 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	1.7mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	3.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	13,2 nC @ 4,5 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Höhe	1mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C

	Alle auswählen
	Marke ON Semiconductor
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 5,6 A
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße TSOP
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand max. 24 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1.4V
	Verlustleistung max. 1,1 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 1.7mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 3.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,2 nC @ 4,5 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Höhe 1mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C