onsemi NVMFD5877NLG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 17 A 23 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 802-1490
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5877NLT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 802-1490
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5877NLT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 23 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Verlustleistung max. 23 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11 nC @ 10 V | ||
Länge 6.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.05mm | ||