onsemi NTP5864NG N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 63 A 107 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 802-4082
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP5864NG
- Marke:
- ON Semiconductor
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
16,68 €
(ohne MwSt.)
19,84 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,834 € | 16,68 € |
| 100 - 240 | 0,625 € | 12,50 € |
| 260 - 480 | 0,607 € | 12,14 € |
| 500 - 980 | 0,531 € | 10,62 € |
| 1000 + | 0,431 € | 8,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 802-4082
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP5864NG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 63 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 107 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 15.75mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.28mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 4.82mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 63 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 107 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 15.75mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.28mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 4.82mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Der on Semiconductor NTP5864N ist ein Leistungs-MOSFET. Der Gehäusetyp des MOSFET ist der TO-220-3. Der durchgehende Drain-Strom des MOAFET beträgt 63 A.
Niedriger RDS (EIN)
Hohe Strombelastbarkeit
Lawinenenergie spezifiziert
RoHS-konform
Hohe Strombelastbarkeit
Lawinenenergie spezifiziert
RoHS-konform