IXYS HiperFET, Polar3 IXFP16N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 16 A 330 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 802-4423
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFP16N50P3
- Marke:
- IXYS
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,975 € | 5,95 € |
| 10 - 48 | 2,61 € | 5,22 € |
| 50 - 98 | 2,215 € | 4,43 € |
| 100 - 148 | 2,14 € | 4,28 € |
| 150 + | 2,09 € | 4,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 802-4423
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFP16N50P3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 16 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 360 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Verlustleistung max. | 330 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 4.83mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.66mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 16mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 16 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 360 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Verlustleistung max. 330 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 4.83mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.66mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 29 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 16mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||