IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ50N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 50 A 960 W, 3-Pin TO-3P
- RS Best.-Nr.:
- 802-4464
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFQ50N50P3
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Verlustleistung max. | 960 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Länge | 15.8mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 125 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Verlustleistung max. 960 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 85 nC @ 10 V | ||
Länge 15.8mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Höhe 20.3mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||