onsemi NVF6P02 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8.4 A 8.3 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
805-1996
Herst. Teile-Nr.:
NVF6P02T3G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

NVF6P02

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

8.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.65mm

Breite

3.7 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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