Teile-Nr.

onsemi NTMS5P02G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,7 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 805-4254
Herst. Teile-Nr.:: NTMS5P02R2G
Marke:: ON Semiconductor

onsemi NTMS5P02G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,7 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 805-4254
Herst. Teile-Nr.:: NTMS5P02R2G
Marke:: ON Semiconductor

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ON Semiconductor
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	2,7 A
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	SOIC
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	48 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1.25V
	Verlustleistung max.	2,5 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
	Breite	4mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 4,5 V
	Länge	5mm
	Höhe	1.5mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C

	Alle auswählen
	Marke ON Semiconductor
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 2,7 A
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße SOIC
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 48 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1.25V
	Verlustleistung max. 2,5 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V
	Breite 4mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 4,5 V
	Länge 5mm
	Höhe 1.5mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C