onsemi P-Kanal, THT MOSFET 20 V / 24 A 60 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 806-1230
- Herst. Teile-Nr.:
- NDP6020P
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 5 V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 24 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 80 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 5 V | ||
Länge 10.67mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Höhe 16.3mm | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.