onsemi PowerTrench FDFS2P753Z P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 1,6 W, 8-Pin SOIC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
806-3365
Herst. Teile-Nr.:
FDFS2P753Z
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

3 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

180 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,6 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,6 nC @ 10 V

Länge

4.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.9mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.575mm

Serie

PowerTrench

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V