onsemi PowerTrench FDMB2307NZ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,2 W, 6-Pin MLP
- RS Best.-Nr.:
- 806-3497
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMB2307NZ
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 806-3497
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMB2307NZ
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | MLP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 2,2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Länge | 2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 4,5 V, 20 nC @ 5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße MLP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 2,2 W | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Länge 2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 4,5 V, 20 nC @ 5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Serie PowerTrench | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.75mm | ||