onsemi PowerTrench FDS4897AC N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 5,2 A; 6,1 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 806-3658
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4897AC
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,2 A; 6,1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 39 mΩ, 65 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,6 W, 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Länge | 4.9mm | |
| Breite | 3.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.575mm | |
| Serie | PowerTrench | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,2 A; 6,1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 39 mΩ, 65 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 1,6 W, 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Länge 4.9mm | ||
Breite 3.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.575mm | ||
Serie PowerTrench | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||