onsemi PowerTrench FDZ661PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 4-Pin WLCSP
- RS Best.-Nr.:
- 807-0723
- Herst. Teile-Nr.:
- FDZ661PZ
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 807-0723
- Herst. Teile-Nr.:
- FDZ661PZ
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | WLCSP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 315 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Länge | 0.8mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 0.8mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,3 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.15mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße WLCSP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 315 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Länge 0.8mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 0.8mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,3 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie PowerTrench | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.15mm | ||