onsemi BS270 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Feldeffekttransistor Erweiterung 60 V / 400 mA 625 mW, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 807-5184P
Herst. Teile-Nr.:: BS270
Marke:: onsemi

onsemi BS270 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Feldeffekttransistor Erweiterung 60 V / 400 mA 625 mW, 3-Pin TO-92

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Herst. Teile-Nr.:: BS270
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Feldeffekttransistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	400mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	BS270
	Gehäusegröße	TO-92
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	625mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	4.7mm
	Breite	3.93mm
	Höhe	4.7mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Feldeffekttransistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie BS270
	Gehäusegröße TO-92
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 625mW
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 4.7mm
	Breite 3.93mm
	Höhe 4.7mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi BS270 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Feldeffekttransistor Erweiterung 60 V / 400 mA 625 mW, 3-Pin TO-92

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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