onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 50 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 808-8982
- Herst. Teile-Nr.:
- FQA46N15
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,854 € | 14,27 € |
| 50 - 95 | 2,46 € | 12,30 € |
| 100 + | 2,132 € | 10,66 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 808-8982
- Herst. Teile-Nr.:
- FQA46N15
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Serie | QFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 42 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 15.8mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Breite | 5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 20.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Serie QFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 42 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 15.8mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 85 nC @ 10 V | ||
Breite 5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 20.1mm | ||