onsemi PowerTrench FDD5353 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11,5 A 69 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 809-0896
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD5353
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | PowerTrench |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 69 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 6.22mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Länge | 6.73mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 2.39mm |
- RS Best.-Nr.:
- 809-0896
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD5353
- Marke:
- onsemi
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