STMicroelectronics OMNIFET VNP14NV04-E N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 12 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 809-1332
- Herst. Teile-Nr.:
- VNP14NV04-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 809-1332
- Herst. Teile-Nr.:
- VNP14NV04-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 9.35mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | OMNIFET | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 9.35mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie OMNIFET | ||
Höhe 4.6mm | ||