STMicroelectronics OMNIFET VNP14NV04-E N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 12 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 809-1332
- Herst. Teile-Nr.:
- VNP14NV04-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 809-1332
- Herst. Teile-Nr.:
- VNP14NV04-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.35mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Serie | OMNIFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.35mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Serie OMNIFET | ||
Vollständig automatisch geschützter OMNIFET-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
Die Serie OMNIFET von vollständig automatisch geschützten Treibern auf der Niederspannungsseite wird gemessen an den Kriterien Robustheit und verbesserte Zuverlässigkeit. Diese Halbleiterrelaisschalter wurden für induktive oder ohmsche Lasten insbesondere in der Automobilindustrie entwickelt.
Lineare Strombegrenzung
thermische Abschaltung
Kurzschlussschutz
ESD-Schutz
Integrierte Klemme
thermische Abschaltung
Kurzschlussschutz
ESD-Schutz
Integrierte Klemme
Intelligente Leistungsschalter, STMicroelectronics
