STMicroelectronics STripFET F3 STI270N4F3 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A 330 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
810-3497
Herst. Teile-Nr.:
STI270N4F3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

330 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

110 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Serie

STripFET F3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

10.75mm