STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
810-3700
Herst. Teile-Nr.:
STW120NF10
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

110 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

STripFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

312 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.15mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

172 nC bei 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

15.75mm

Höhe

20.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Verwandte Links