Vishay IRFR9210TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 1,9 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 812-0657
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9210TRPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,187 € | 1,87 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-0657
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9210TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,9 nC bei 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,9 nC bei 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.38mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Fast switching
Repetitive avalanche rated
Fast switching