Vishay SI1016CX-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA 220 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 812-3025
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1016CX-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI1016CX-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 600 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,4 Ω, 760 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 220 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.2mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,3 nC @ 4,5 V, 1,65 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 600 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,4 Ω, 760 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 220 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.2mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,3 nC @ 4,5 V, 1,65 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.6mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||