Vishay SI3900DV-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2 A 830 mW, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
812-3170
Herst. Teile-Nr.:
SI3900DV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

TSOP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

200 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

830 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

2,1 nC bei 4,5 V

Breite

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.1mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN