Vishay SI4501BDY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 8 V, 30 V / 6,4 A; 12 A 3,1 W; 4,5 W, 8-Pin SOIC

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 20 Stück)*

11,72 €

(ohne MwSt.)

13,94 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
20 - 800,586 €11,72 €
100 - 1800,439 €8,78 €
200 - 4800,351 €7,02 €
500 - 9800,287 €5,74 €
1000 +0,275 €5,50 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3227
Herst. Teile-Nr.:
SI4501BDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

6,4 A; 12 A

Drain-Source-Spannung max.

8 V, 30 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ, 37 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.45V

Verlustleistung max.

3,1 W; 4,5 W

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Gate-Source Spannung max.

-20 V, -8 V, +20 V, +8 V

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16,5 nC @ 10 V, 27,5 nC @ 8 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm