Vishay SI4666DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 16,5 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 812-3249
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4666DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 812-3249
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4666DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 16,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22,4 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 16,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22,4 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.55mm | ||
- Ursprungsland:
- CN