Vishay SIR850DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 20 A 41,7 W, 8-Pin PowerPAK SO
- RS Best.-Nr.:
- 814-1294
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR850DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 814-1294
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR850DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 41,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Länge | 5.99mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 41,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Länge 5.99mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.12mm | ||
- Ursprungsland:
- CN