Vishay SIZ702DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 13,8 A, 14 A 27 W, 30 W, 6-Pin PowerPAIR
- RS Best.-Nr.:
- 814-1326
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ702DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ702DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 13,8 A, 14 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 27 W, 30 W | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 3.81mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.08mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 13,8 A, 14 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 27 W, 30 W | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 3.81mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.08mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V | ||
Höhe 0.75mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN