Nexperia PSMN1R5-25YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 109 W, 4-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 816-6965
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-25YL,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 816-6965
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-25YL,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.15V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 109 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.15V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 109 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 76 nC @ 10 V | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.05mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- PH