Vishay SI4914BDY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,7 A, 7,4 A 2,7 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 818-1306
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4914BDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- SI4914BDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,7 A, 7,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 25 mΩ, 27 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 2,7 W, 3,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,7 nC @ 4,5 V, 7 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,7 A, 7,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 25 mΩ, 27 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 2,7 W, 3,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,7 nC @ 4,5 V, 7 nC @ 4,5 V | ||
Breite 4mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.55mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||