Vishay SI5517DU-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,7 A; 7,2 A 8,3 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 818-1334
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 818-1334
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,7 A; 7,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 55 mΩ, 131 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 8,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 8 V, 9,1 nC @ 8 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.98mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 3.08mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,7 A; 7,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 55 mΩ, 131 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 8,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,5 nC @ 8 V, 9,1 nC @ 8 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.98mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 3.08mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN