Vishay SI8805EDB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 2,5 A 900 mW, 4-Pin MICRO FOOT
- RS Best.-Nr.:
- 818-1431
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8805EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 818-1431
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8805EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V | |
| Gehäusegröße | MICRO FOOT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 290 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.35V | |
| Verlustleistung max. | 900 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -5 V, +5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 0.84mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,7 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 0.84mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.213mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 8 V | ||
Gehäusegröße MICRO FOOT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 290 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.35V | ||
Verlustleistung max. 900 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -5 V, +5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 0.84mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,7 nC @ 4,5 V | ||
Breite 0.84mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.213mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- US