Vishay SUM40N15-38-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 40 A 166 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 818-7486
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM40N15-38-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | 2,892 € | 14,46 € |
| 100 - 195 | 1,876 € | 9,38 € |
| 200 - 395 | 1,85 € | 9,25 € |
| 400 - 795 | 1,82 € | 9,10 € |
| 800 + | 1,458 € | 7,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 818-7486
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM40N15-38-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.41mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 9.652mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Höhe | 4.826mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 40 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.41mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 9.652mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 38 nC @ 10 V | ||
Höhe 4.826mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- TW