Vishay SUM65N20-30 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 375 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
SUM65N20-30-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

SUM65N20-30

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

84mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.826mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65mm

Länge

10.41mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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