Vishay SQ Rugged SQD100N04-3M6L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 819-3939
Herst. Teile-Nr.:: SQD100N04-3M6L-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ Rugged SQD100N04-3M6L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 819-3939
Herst. Teile-Nr.:: SQD100N04-3M6L-GE3
Marke:: Vishay

SQD100N04-3m6L, Automotive N-Channel 40V (D-S) 175degC MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	SQ Rugged
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	136 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	2.38mm
Automobilstandard	AEC-Q101

Vishay SQ Rugged SQD100N04-3M6L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged

Zulassungen

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