Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 110 A 160 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 820-8849
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7540PBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
3,93 €
(ohne MwSt.)
4,675 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 45 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 505 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 0,786 € | 3,93 € |
| 25 - 45 | 0,748 € | 3,74 € |
| 50 - 120 | 0,674 € | 3,37 € |
| 125 - 245 | 0,606 € | 3,03 € |
| 250 + | 0,576 € | 2,88 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 820-8849
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7540PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 88nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 88nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon
Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB7530PBF TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB7446PBF TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB7430PBF TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263