DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.38 A 530 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 822-2510P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1024UV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 736.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 530mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -6V, +6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 736.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 530mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -6V, +6V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 0.6mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN