DiodesZetex DMN26D0UFB4-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 240 mA 350 mW, 3-Pin X2-DFN1006

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RS Best.-Nr.:
822-2560
Herst. Teile-Nr.:
DMN26D0UFB4-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

240 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

X2-DFN1006

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.05V

Verlustleistung max.

350 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-10 V, +10 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10,5 nC @ 5 V

Breite

0.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

1.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

0.35mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C