DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 200 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
822-2602
Herst. Teile-Nr.:
DMN65D8LDW-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.43nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Breite

1.35 mm

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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