DiodesZetex DMG5802LFX-7 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 24 V / 6,5 A 980 mW, 6-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 822-8495
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG5802LFX-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 822-8495
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG5802LFX-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 24 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 980 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31,3 nC @ 10 V | |
| Länge | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 2.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 24 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 980 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31,3 nC @ 10 V | ||
Länge 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 2.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.8mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||