DiodesZetex ZXMHC10A07T8TA N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 100 V / 1,1 A, 800 mA 1,3 W, 8-Pin SM
- RS Best.-Nr.:
- 823-1873
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC10A07T8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- ZXMHC10A07T8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,1 A, 800 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SM | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,45 Ω, 900 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,9 nC @ 10 V, 3,5 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,1 A, 800 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SM | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,45 Ω, 900 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Vollbrücke | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,9 nC @ 10 V, 3,5 nC @ 10 V | ||
Länge 6.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||