DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 540 mA 225 mW, 6-Pin SM

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RS Best.-Nr.:
823-2927
Herst. Teile-Nr.:
DMN2004DMK-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

540mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

225mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-65°C

Länge

3.1mm

Höhe

1.3mm

Breite

1.7 mm

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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